チップFET NE76084
参考価格
¥200（税抜）
輸出管理規制（ITAR/EAR）の対象となる場合があります。
技術仕様 (Specifications)
NF1.6dBtyp.
構造GaAs_MESFET
チャネルN
許容損失240mW
利得(12GHz)9dBtyp.
パッケージMICRO-X
ドレイン電流50mA
対応周波数帯域Cバンド～Kuバンド
ゲートソース間電圧3V
ドレインしゃ断電流15～50mA
ゲートドレイン間電圧5V
ドレインソース間電圧5V
製品概要
Cバンド(4～8GHz)～Kuバンド(12～18GHz)のNチャネル GaAs MES FET。超低雑音(0.5dB@500MHz)。SHF帯の増幅に最適。