トランジスタ 2SB1203 50V 5A
製造元企業情報Manufacturer Info
認証取得工場 (AS9100 / JIS Q 9100)
9100 (9001:2015)Digitron Semiconductors
9100 (9001:2015)Global Communication Semiconductors, LLC
9100 (9001:2015)Sensitron Semiconductor
9120 (9001:2015)Shenzhen Chimicron Semiconductor Limited
※ 上記は製造元企業またはその製造拠点の実績・認証情報です。製品そのものの認証や仕様を保証するものではありません。
参考価格
¥200（税抜）
輸出管理規制（ITAR/EAR）の対象となる場合があります。
技術仕様 (Specifications)
端子数3
接合構造PNP
パッケージSOT428(TO252-3)
実装タイプ表面実装
端子ピッチ2.3mmピッチ
許容損失max.20W
コレクター電流-5A
パッケージタイプSOT
直流電流増幅率max.280
直流電流増幅率min.140
トランジション周波数130MHz
エミッターベース間電圧-6V
コレクターベース間電圧-60V
ベースエミッター飽和電圧-0.95V
コレクターエミッター間電圧-50V
コレクターエミッター飽和電圧-280mV
製品概要
特徴：コレクタ・エミッタ飽和電圧が低い、大電流かつ高fT、hFEのリニアリティが良い、スイッチングタイムが速い、小型薄型でセットの小型化が容易、2SD1803とコンプリメンタリ