NchパワーMOSFET 60V40A TK40E06N1
参考価格
¥50（税抜）
輸出管理規制（ITAR/EAR）の対象となる場合があります。
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗8.4mΩ
チャネルN
パッケージTO220
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.54mmピッチ
許容損失max.67W
ドレイン電流DC40A
ゲート漏れ電流±0.1μA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流125A
ドレインソース間電圧60V
製品概要
省エネを実現する低耐圧トレンチ構造のU-MOS Ⅷ-Hプロセスにより卓越した低オン抵抗(8.4mΩ@VGS=10V)、低ゲート入力電荷量(Qg:23nC@VGS=10V)を実現しています。スイッチングレギュレータ、DCDCコンバータ等に最適です。漏れ電流も少なくなっています(IDSS:10μA@VDS=60V)。大電流が流せて使いやすいです。