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メーカー: ルネサスエレクトロニクス株式会社
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NチャンネルMOSFET 2SK1589
2SK1589-T1B-AT
トランジスタ・FET

NチャンネルMOSFET 2SK1589

2SK1589は、Nチャネル縦型MOSFETで、5V電源系ICの出力による直接駆動が可能なスイッチング素子です。5V電源系ICから直接駆動でき、高入力インピーダンスのため、駆動電流を考慮する必要がありません。

NチャンネルパワーMOSFET 100V 25A
H7N1004FM-E
トランジスタ・FET

NチャンネルパワーMOSFET 100V 25A

低オン抵抗、低駆動電力、低電圧駆動(4.5V駆動)が特徴のNチャンネルパワーMOSFETです。

Pチャンネル MOSFET 60V 5A (2SJ496TZ-E)
2SJ496TZ-E
トランジスタ・FET

Pチャンネル MOSFET 60V 5A (2SJ496TZ-E)

ルネサスエレクトロニクス製 Pチャンネル MOSFET。ドレインソース間電圧-60V、ドレイン電流-5A、実装タイプはスルーホール。

H8S 16ビットフラッシュマイコン HD64F2128PS20V
HD64F2128PS20V
マイクロコントローラ・開発ボード・ツール

H8S 16ビットフラッシュマイコン HD64F2128PS20V

H8Sファミリは16ビットの処理能力を持つマイクロコンピュータです。CPUは16本の汎用レジスタで構成されており、レジスタ間演算の基本命令は1クロックで動作します。Dhrystoneベンチマーク性能は33MHz動作時に18.9MIPSを誇ります。また16ビット、4クロック実行の乗算器を内蔵しています。積和演算命令を持っていますのでデジタル信号処理も高速に実行できます。メモリ空間は最大16Mバイトまで利用できます。

Nチャンネル MOSFET 2SK4150TZ-E (250V 0.4A)
2SK4150TZ-E
トランジスタ・FET

Nチャンネル MOSFET 2SK4150TZ-E (250V 0.4A)

低オン抵抗 (4Ω typ.)、低電流駆動のNチャンネルMOSFETです。

NチャンネルパワーMOSFET 60V 10A 2SK2925L-E
2SK2925L-E
パワー半導体・ドライバIC

NチャンネルパワーMOSFET 60V 10A 2SK2925L-E

低オン抵抗、低電圧駆動(4V駆動)、高速スイッチングが特徴のNチャンネルパワーMOSFETです。

PチャンネルパワーMOSFET 60V 5A
2SJ527L-E
パワー半導体・ドライバIC

PチャンネルパワーMOSFET 60V 5A

低オン抵抗、小駆動電力、低電圧駆動(4V駆動)、高速スイッチングが特徴のPチャンネルパワーMOSFETです。

PチャネルパワーMOSFET 60V 36A 2SJ673-AZ
2SJ673-AZ
パワー半導体・ドライバIC

PチャネルパワーMOSFET 60V 36A 2SJ673-AZ

PチャネルパワーMOSFET、ドレイン-ソース間電圧-60V、ドレイン電流±36A、実装タイプ: スルーホール、パッケージ: TO220

NチャンネルパワーMOSFET 100V 80A RJK1008DPP
RJK1008DPP
パワー半導体・ドライバIC

NチャンネルパワーMOSFET 100V 80A RJK1008DPP

NチャンネルパワーMOSFET、ドレイン-ソース間電圧100V、ドレイン電流80A、TO220FNパッケージ

PチャネルパワーMOSFET 20V 0.4A 2SJ648-T1-A/JM
2SJ648-T1-A/JM
パワー半導体・ドライバIC

PチャネルパワーMOSFET 20V 0.4A 2SJ648-T1-A/JM

2SJ648は、2.5V電源系による直接駆動が可能なパワーMOSFETです。低オン抵抗でスイッチング特性に優れており、ポータブル機器の電源スイッチに最適です。業界標準のSC-75(SOT-416)パッケージで置き換えも容易です。

NチャンネルパワーMOSFET 60V 60A 2SK3140
2SK3140
パワー半導体・ドライバIC

NチャンネルパワーMOSFET 60V 60A 2SK3140

ルネサステクノロジ製MOSFET。高効率で汎用性の高いスイッチング素子です。

NチャンネルパワーMOSFET 60V 85A H7N0602LD-E
H7N0602LD-E
パワー半導体・ドライバIC

NチャンネルパワーMOSFET 60V 85A H7N0602LD-E

低オン抵抗: RDS(ON) = 4.1mΩ (typ)。低電圧駆動(4.5V駆動)。高速スイッチング。