NチャネルMOSFET 60V 115mA 2N7002
参考価格
¥200（税抜）
輸出管理規制（ITAR/EAR）の対象となる場合があります。
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗3.2Ω
チャネルN
許容損失300mW
パッケージSOT23
実装タイプ表面実装
端子ピッチ0.915mmピッチ
ドレイン電流DC115mA
動作温度(最大)150℃
動作温度(最小)-55℃
ゲートリーク電流±10nA
パッケージタイプSOT
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流800mA
ドレインゲート間電圧60V
ドレインソース間電圧60V
製品概要
海外の電子回路製作記事でよく使用されているNチャネルエンハンスメントタイプMOSFETです。2SK型番ではありませんが、汎用品として使用できます。面実装型で約100mAまで対応、入力容量も小さいため、パワーMOSFETのゲートドライブなどのスイッチング用途に最適です。