Diodes IncorporatedのD級パワーアンプICです。少ない部品でパワーアンプを構成でき、差動増幅器の入力抵抗が外付けのため、ゲインを自由に設定可能です。
Diodes Inc.製のPチャンネルMOSFETです。エンハンスメントタイプで、TO-92パッケージが特徴です。
海外の電子回路製作記事でよく使用されているNチャネルエンハンスメントタイプMOSFETです。2SK型番ではありませんが、汎用品として使用できます。面実装型で約100mAまで対応、入力容量も小さいため、パワーMOSFETのゲートドライブなどのスイッチング用途に最適です。
SBR（スーパーバリアダイオード）は、MOS製造プロセスを利用したダイオードで、低順方向電圧、低逆方向漏れ電流、高い逆方向耐圧、優れた信頼性と堅牢性が特徴です。SBD（ショットキーバリアダイオード）の上位互換品として使用できます。
SBR（スーパーバリアダイオード）は、MOS製造プロセスを利用したダイオードです。SBD（ショットキーバリアダイオード）と同様の電気的特性を持ち、より高性能です。順方向電圧が低く、逆方向漏れ電流が少なく、逆方向耐圧が高いという特徴があります。信頼性と堅牢性に優れ、SBDの上位互換品として使用できます。
SBR（スーパーバリアダイオード）は、MOS製造プロセスを利用したダイオードで、低順方向電圧、低逆方向漏れ電流、高い逆方向耐圧、優れた信頼性と堅牢性が特徴です。SBDの上位互換品として使用できます。
SBR（スーパーバリアダイオード）は、MOS製造プロセスを利用したダイオードで、高性能なSBD（ショットキーバリアダイオード）として使用できます。順方向電圧が低く、逆方向漏れ電流が少ないのが特徴で、SBDの上位互換品として利用可能です。
世界標準の汎用整流用ダイオードです。10D1や10E1の代替品としても使用可能です。
世界標準の汎用整流ダイオードです。10D1や10E1の代替品としても使用可能です。
SBR（スーパーバリアダイオード）は、MOS製造プロセスを利用したダイオードです。SBD（ショットキーバリアダイオード）が金属と半導体の接合を利用するのに対し、SBRはMOSFETのようなチャネル構造を内部に形成しています。電気的な特性はSBDと類似しており、回路設計上は高性能なSBDとして扱うことができます。順方向電圧が低く、逆方向漏れ電流が少ないため、高温でも安定しています。また、逆方向耐圧が高く、信頼性と堅牢性に優れ、アバランシェ耐量も高いです。SBDの上位互換品として使用できます。
表面実装型のスイッチングダイオードです。高電圧・高速スイッチング用途に適しています。
Diodes IncorporatedのD級パワーアンプIC。5V、4Ω負荷時に2.5Wの出力。フィルターレスで部品点数少なく構成可能。短絡保護、過熱保護回路搭載。SOP8パッケージ。
