NチャンネルパワーMOSFET 100V 9.4A IRFU120NPBF
製造元企業情報Manufacturer Info
認証取得工場 (AS9100 / JIS Q 9100)
9100 (9001:2015)International Rectifier HiRel Products Inc.
※ 上記は製造元企業またはその製造拠点の実績・認証情報です。製品そのものの認証や仕様を保証するものではありません。
参考価格
¥50（税抜）
輸出管理規制（ITAR/EAR）の対象となる場合があります。
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗210mΩ
チャネルN
パッケージTO251AA
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.29mmピッチ
動作温度最大175℃
動作温度最小-55℃
許容損失最大48W
ドレイン電流DC9.4A
ゲートリーク電流±100nA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流38A
ドレインソース間電圧100V
製品概要
IR社の第5世代HEXFETを採用したNチャンネルパワーMOSFETです。従来品に比べて最大ドレイン電流が大幅に改善されています。高速スイッチングが可能で、TO-251AAパッケージを採用しています。