Infineon(旧International Rectifier)製の2素子入りパワーMOSFETです。低ON抵抗でゲートドライブに最適です。
第5世代HEXFET®シリーズのPチャンネルパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。
IR社の第5世代HEXFETを採用したNチャンネルパワーMOSFETです。従来品に比べて最大ドレイン電流が大幅に改善されています。高速スイッチングが可能で、TO-251AAパッケージを採用しています。
DC-DCコンバーターに適したSMPS MOSFET。HEXFET®技術により、低ゲート-ドレイン電荷でスイッチング損失を低減。
IRの超低オン抵抗2mΩ(max)高耐圧75V NchパワーMOSFETです。
HEXFET®シリーズのNチャンネルパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。特徴：HEXFET®、極めて低いオン抵抗、アバランシェ耐量保証、鉛フリー
International Rectifier社製のNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（IGBT）です。高電圧・大電流のスイッチング用途に適しています。
秋月電子通商で販売されている、International Rectifier社製のシリコンNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタです。型番はIRGIB10B60KD1Pです。
International Rectifier製のNチャネル絶縁ゲートバイポーラトランジスタです。高電圧・大電流制御に適しています。
International RectifierのSOT-23パッケージ、HEXパワーMOSFETです。低オン抵抗(24mΩ)です。Vthが低く、ロジックレベルでの駆動が容易です。業界標準のSOT-23パッケージですので置き換えも容易です。
高電圧600V・高速対応のハーフブリッジ ドライバICです。ハイパワーMOSFET・IGBTを余裕で駆動できる出力電流能力があります。パワーMOSFET・IGBTを駆動する高耐電圧・高速ドライバです。ハイサイドはフローティング電源供給チャネルとなっています。制御用ロジック入力部は、標準的なCMOS・LS-TTLに準拠しています。
高速対応のデュアル(2回路入)ローサイド ドライバICです。 ハイパワーMOSFET・IGBTを十分な余裕で駆動できる1.5Aの出力電流です。 ◆特長 ・パワーMOSFET・IGBTを駆動する高速ドライバです。 ・制御用ロジック入力部は、標準的なCMOS・LS-TTLに準拠しています。 3.3Vロジック対応で、プルダウン抵抗前置のシュミット入力回路を備えています。 ・使いやすい2.54ミリピッチ8ピンDIPパッケージです。
