PチャンネルパワーMOSFET 55V 11A
製造元企業情報Manufacturer Info
認証取得工場 (AS9100 / JIS Q 9100)
9100 (9001:2015)International Rectifier HiRel Products Inc.
※ 上記は製造元企業またはその製造拠点の実績・認証情報です。製品そのものの認証や仕様を保証するものではありません。
参考価格
¥70（税抜）
輸出管理規制（ITAR/EAR）の対象となる場合があります。
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗175mΩ
チャネルP
許容損失38W
パッケージTO251AA
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.29mmピッチ
ドレイン電流DC-11A
ゲートリーク電流±100nA
パッケージタイプTO
動作温度（最大）150℃
動作温度（最小）-55℃
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流-44A
ドレインソース間電圧-55V
製品概要
第5世代HEXFET®シリーズのPチャンネルパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。