Nch MOSFET INKA114AS1-T112
参考価格
¥50（税抜）
輸出管理規制（ITAR/EAR）の対象となる場合があります。
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗1.1Ω
チャネルN
パッケージTO92S
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.5mmピッチ
許容損失max.800mW
ドレイン電流DC500mA
ゲート漏れ電流±90μA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流1A
製品概要
ブレークダウン電圧38~62V、ドレイン電流は0.5AのNch MOSFETです。ドレイン・ソース間に接続されたクランプダイオードにより誘導負荷駆動時の逆起電力から素子を保護します。またバイアス抵抗も内蔵しています。これらによりフリーホイールダイオード、バイアス抵抗が不要となる為部品点数の削減に貢献します。Vthは低く(1.0~2.5V)、ロジックICやマイコンでの駆動が容易です。