すべての製品 (22 件)

メーカー: イサハヤ電子株式会社
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トランジスター 2SC5395-F
2SC5395-F
汎用半導体・ロジックIC

トランジスター 2SC5395-F

2SC5395-Fは低周波電圧増幅用のNPNトランジスタです。こちらはFランクでhFEは250~500です。コレクタ飽和電圧が低い(VCE(sat)=0.3V最大(@Ic=100mA、IB=10mA))、直流電流増幅率の直線性が良いといった特徴があります。 こちらはお客様から、「イサハヤ電子(株)様は日本国内でディスクリート(TO-92等、スルーホール部品)の小信号トランジスタを製造している会社で御座います。その中でもリニアリティが良く、使いやすいトランジスタがあるので扱ってほしい」と、ご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム

シリコン双方向スイッチング素子 BS08D
BS08D-112
スイッチング素子

シリコン双方向スイッチング素子 BS08D

シリコンプレーナ拡散技術で製造された双方向スイッチング特性を持つ集積回路。双方向でほぼ対称な静特性を持ち、スイッチング電圧は7~9V、温度係数は0.01%/℃。トライアック位相制御回路では、BS08Dのゲートを利用してヒステリシス特性を軽減し、ボリュームにより制御角を約10°~160°の範囲でスムーズに位相制御可能。

抵抗内蔵トランジスタ RT1P137P 40V 1A
RT1P137P
トランジスタ

抵抗内蔵トランジスタ RT1P137P 40V 1A

バイアス抵抗内蔵のチップトランジスタです。

Nチャンネル MOSFET INK021ABS1-T112
INK021ABS1-T112
トランジスタ・FET

Nチャンネル MOSFET INK021ABS1-T112

イサハヤ電子のNチャンネルMOSFET。低電圧駆動、低ON抵抗のため、電池駆動回路やポータブル機器の高速スイッチング、アナログスイッチ用途に最適です。

PNPトランジスタ ISA1284AS1-T112-E
ISA1284AS1-T112-E
トランジスタ

PNPトランジスタ ISA1284AS1-T112-E

イサハヤ電子の高耐圧PNPトランジスタ。リレードライブ、電源、オーディオアンプに最適

トランジスター 2SC5398ーS
2SC5398ーS
汎用半導体・ロジックIC

トランジスター 2SC5398ーS

2SC5398ーSは低周波電圧増幅用のNPNトランジスタです。小信号増幅用に設計されていますので、こちらはSランクでhFEは270~560です。コレクタ飽和電圧が低い(VCE(sat)= 0.3V最大(@Ic=30mA、IB=1.5mA))、直流電流増幅率の直線性が良いといった特徴があります。 こちらはお客様から、「イサハヤ電子(株)様は日本国内でディスクリート(TO-92等、スルーホール部品)の小信号トランジスタを製造している会社で御座います。その中でもリニアリティが良く、使いやすいトランジスタがあるので扱ってほしい」と、ご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム

トランジスター ISA1993AS1-F
ISA1993AS1-F
汎用半導体・ロジックIC

トランジスター ISA1993AS1-F

ISA1993AS1-Fは低周波電圧増幅用のPNPトランジスタです。こちらはFランクでhFEは250~500です。コレクタ飽和電圧が低い(VCE(sat)= -0.3V最大(@Ic=-100mA、IB=-10mA))、直流電流増幅率の直線性が良いといった特徴があります。 こちらはお客様から、「イサハヤ電子(株)様は日本国内でディスクリート(TO-92等、スルーホール部品)の小信号トランジスタを製造している会社で御座います。その中でもリニアリティが良く、使いやすいトランジスタがあるので扱ってほしい」と、ご要望がございました。各種部品、半導体、機構部品等のご要望をお聞かせください。 商品リクエスト入力フォーム

Pチャネル J-FET 2SJ498-D
2SJ498-D
半導体素子

Pチャネル J-FET 2SJ498-D

2SJ498は、小型樹脂封止形のPチャネル接合形電界効果トランジスタです。48Vコンデンサマイクロフォン給電用(ファントム電源)、低周波電圧増幅、アナログスイッチ用途に設計されており、特に|yfs|特性、RDS(ON)特性に優れ、オーディオ・ビデオ機器をはじめとする電子機器に最適です。

Nチャネル J-FET 2SK2881-T112-E (低周波低雑音増幅用)
2SK2881-T112-E
半導体素子

Nチャネル J-FET 2SK2881-T112-E (低周波低雑音増幅用)

2SK2881は、小形樹脂封止形のNチャネル接合形電界効果トランジスタです。低周波低雑音増幅用に設計されており、特に雑音特性と大きな順伝達アドミタンス特性に優れています。オーディオ機器の電圧増幅器に最適で、ドレイン・ソース間のON抵抗が小さいため、アナログスイッチとしても利用可能です。

Pチャネル J-FET 2SJ498-C
2SJ498-C
半導体素子

Pチャネル J-FET 2SJ498-C

2SJ498は、小型樹脂封止形のPチャネル接合形電界効果トランジスタです。48Vコンデンサマイクロフォン給電(ファントム電源)、低周波電圧増幅、アナログスイッチ用途に設計されており、特に|yfs|特性、RDS(ON)特性に優れ、オーディオ・ビデオ機器をはじめとする電子機器に最適です。

Nch MOSFET INKA114AS1-T112
INKA114AS1-T112
LED素子・照明モジュール

Nch MOSFET INKA114AS1-T112

ブレークダウン電圧38~62V、ドレイン電流は0.5AのNch MOSFETです。ドレイン・ソース間に接続されたクランプダイオードにより誘導負荷駆動時の逆起電力から素子を保護します。またバイアス抵抗も内蔵しています。これらによりフリーホイールダイオード、バイアス抵抗が不要となる為部品点数の削減に貢献します。Vthは低く(1.0~2.5V)、ロジックICやマイコンでの駆動が容易です。

トランジスター ISC3244AS1-T112-E
ISC3244AS1-T112-E
トランジスタ・FET

トランジスター ISC3244AS1-T112-E

イサハヤ電子のBJT(バイポーラジャンクショントランジスタ)です。コレクタ損失が大きく、高耐圧に設計・製造されておりますので、リレードライブ、電源や、オーディオアンプ用として最適です。