Pチャネル パワーMOSFET 55V 18A IRFU5505PBF
製造元企業情報Manufacturer Info
認証取得工場 (AS9100 / JIS Q 9100)
9100 (9001:2015)International Rectifier HiRel Products Inc.
※ 上記は製造元企業またはその製造拠点の実績・認証情報です。製品そのものの認証や仕様を保証するものではありません。
参考価格
¥130（税抜）
輸出管理規制（ITAR/EAR）の対象となる場合があります。
技術仕様 (Specifications)
端子数3
オン抵抗110mΩ
チャネルPチャネル
パッケージTO251AA
実装タイプスルーホール
端子ピッチ2.29mmピッチ
動作温度max.150℃
動作温度min.-55℃
許容損失max.57W
ドレイン電流DC-18A
ゲート漏れ電流±100nA
パッケージタイプTO
ゲートソース間電圧±20V
ピークドレイン電流-64A
ドレインソース間電圧-55V
製品概要
第5世代HEXFET®シリーズのPチャネルパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。 特長: ・第5世代HEXFET® ・極めて低いオン抵抗 ・アバランシェ耐量保証 ・鉛フリー