お買い得用ヒートシンクです。一箇所にネジ穴が開いています。基板取付用のピンが付いています。 ※フルモールドパッケージ(放熱部分が絶縁されている)でないトランジスタ・FETの場合は ICの放熱部分と放熱器が導通しますのでマイカ板や絶縁シート等が必要です。 放熱部分がGNDでないICはご注意下さい。
パワートランジスターの下に取付けるだけで高い熱伝導率を得ることができます。マイカ板と違ってグリースを併用する必要はありません。従来のシリコンラバーより約7倍の熱伝導率があります。
パワートランジスターの下に取付けるだけで高い熱伝導率を得ることができます。マイカ板と違ってグリースを併用する必要はありません。熱伝導率1.2W/m・KのサーコンTR(富士高分子工業株式会社)を採用しています。
低オン抵抗で漏れ電流が少なく、高速スイッチング、低ゲート入力電荷量を特長とします。
三洋のTO-252パッケージ、汎用のNchMOSFETです。高耐圧(600V)、低オン抵抗(4.2Ω)、低Qg(8nC)が特徴です。業界標準のTO-252パッケージにより汎用性が高く放熱に優れています。
放熱対策に最適なシリコングリスです。導電性はなく、注射器タイプで細かい部分への塗布が容易です。主にCPUやGPUの冷却に適しています。
SiC(シリコンカーバイド)ショットキーバリアダイオードです。珪素(Si)と炭素(C)で構成される新しい素材です。シリコン(Si)と比較して耐圧、スイッチング特性に優れ、電力用半導体の新しい素材として期待されています。
省エネを実現する低耐圧トレンチ構造のU-MOS Ⅷ-Hプロセスにより卓越した低オン抵抗(8.4mΩ@VGS=10V)、低ゲート入力電荷量(Qg:23nC@VGS=10V)を実現しています。スイッチングレギュレータ、DCDCコンバータ等に最適です。漏れ電流も少なくなっています(IDSS:10μA@VDS=60V)。大電流が流せて使いやすいです。
沖電線(株)の放熱フィルムです。ICなどに直接貼るだけで放熱対策が可能です。複数の放熱経路を1枚のフィルムに凝縮。極薄でフレキシブルなため、従来の放熱部品では設置しにくいスペースにもフィットします。密閉環境下でも高い放熱効果が得られ、放熱設計の自由度が向上します。ハサミで好きなサイズにカットして部品に貼り付け可能。片面粘着テープです。
シリコンラバー製の熱伝導シートです。ヒートシンクと半導体の間にはさんで使用します。
パワートランジスターの下に取り付けるだけで高い熱伝導率が得られます。マイカ板と異なり、グリースを併用する必要はありません。熱伝導率1.2W/m・KのサーコンTR（富士高分子工業株式会社）を採用しています。
