サンケン電気のNチャネルMOSFETです。
Infineon(旧International Rectifier)製の2素子入りパワーMOSFETです。低ON抵抗でゲートドライブに最適です。
Vthが低く(4Vでは完全にON)ロジック駆動に適したPチャンネルパワーMOSFETです。
Diodes Inc.製のPチャンネルMOSFETです。エンハンスメントタイプで、TO-92パッケージが特徴です。
海外の電子回路製作記事でよく使用されているNチャネルエンハンスメントタイプMOSFETです。2SK型番ではありませんが、汎用品として使用できます。面実装型で約100mAまで対応、入力容量も小さいため、パワーMOSFETのゲートドライブなどのスイッチング用途に最適です。
Panjit製 Nチャンネル MOSFET。2N7002Kは、2N7002のESD保護強化版。低オン抵抗、高ドレイン電流。
エンハンスメントモードPチャネルMOSFET。低オン抵抗、低ゲートスレッショルド電圧。
1.8V駆動、低オン抵抗が特徴のPチャネルMOSFETです。
VISHAYのNチャネルトレンチ構造MOSFET。低オン抵抗(0.2Ω@4.5V)。低Vthでロジックレベル駆動が容易。小型Qg(1400pC)でドライブしやすい。業界標準SOT-23パッケージで置き換え容易。
小信号用NチャンネルMOSFET
Fairchild製のデュアルNチャンネルMOSFETです。使いやすいエンハンスメントタイプで、低オン抵抗、低ゲートスレッショルド電圧、低入力容量を特徴とします。
第5世代HEXFET®シリーズのPチャンネルパワーMOSFETです。極めて低いオン抵抗に加え、高速スイッチング対応で幅広い用途に適しています。
